2SA1669-TB-E

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Numéro d'article 2SA1669-TB-E
LIXINC Part # 2SA1669-TB-E
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2SA1669-TB-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2SA1669-TB-E Caractéristiques

Numéro d'article:2SA1669-TB-E
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
à transistors:PNP
tension - claquage collecteur émetteur (max):15V
fréquence - transition:3GHz
facteur de bruit (db typ @ f):2dB @ 900MHz
gagner:5dB
puissance - maximum:250mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:15 @ 5mA, 10V
courant - collecteur (ic) (max):50mA
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:3-CP

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