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UTV8100B

UTV8100B
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Numéro d'article UTV8100B
LIXINC Part # UTV8100B
Fabricant Microsemi
Catégorie semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO UTV8100B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

UTV8100B Caractéristiques

Numéro d'article:UTV8100B
Marque:Microsemi
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:Microsemi
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):60V
fréquence - transition:470MHz ~ 860MHz
facteur de bruit (db typ @ f):-
gagner:8.5dB ~ 9.5dB
puissance - maximum:290W
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:20 @ 1A, 5V
courant - collecteur (ic) (max):15A
température de fonctionnement:200°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:55RT
paquet de dispositif de fournisseur:55RT

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