DTC123JUBTL

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Numéro d'article DTC123JUBTL
LIXINC Part # DTC123JUBTL
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO DTC123JUBTL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DTC123JUBTL Caractéristiques

Numéro d'article:DTC123JUBTL
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
à transistors:NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
résistance - base (r1):2.2 kOhms
résistance - base émettrice (r2):47 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:250 MHz
puissance - maximum:200 mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-85
paquet de dispositif de fournisseur:UMT3F

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