NSBA113EF3T5G | Rochester Electronics NSBA113EF3T5G | NSBA113EF3T5G Inventory, Best Pricing

NSBA113EF3T5G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	NSBA113EF3T5G
LIXINC Part #	NSBA113EF3T5G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NSBA113EF3T5G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NSBA113EF3T5G Caractéristiques

Numéro d'article:	NSBA113EF3T5G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
résistance - base (r1):	1 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	1 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	500nA
fréquence - transition:	-
puissance - maximum:	254 mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-1123
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-1123