BCR183WE6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BCR183WE6327HTSA1 | BCR183WE6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BCR183WE6327HTSA1

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Numéro d'article	BCR183WE6327HTSA1
LIXINC Part #	BCR183WE6327HTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BCR183WE6327HTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BCR183WE6327HTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BCR183WE6327HTSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
résistance - base (r1):	10 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	10 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
fréquence - transition:	200 MHz
puissance - maximum:	250 mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-70, SOT-323
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT323-3