PDTD123YS,126 | NXP Semiconductors PDTD123YS,126 | PDTD123YS,126 Inventory, Best Pricing

PDTD123YS,126

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Numéro d'article	PDTD123YS,126
LIXINC Part #	PDTD123YS,126
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PDTD123YS,126 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PDTD123YS,126 Caractéristiques

Numéro d'article:	PDTD123YS,126
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	500 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
résistance - base (r1):	2.2 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	10 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 50mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):	500nA
fréquence - transition:	-
puissance - maximum:	500 mW
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92-3