PDTA123TK,115 | NXP Semiconductors PDTA123TK,115 | PDTA123TK,115 Inventory, Best Pricing

PDTA123TK,115

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Numéro d'article	PDTA123TK,115
LIXINC Part #	PDTA123TK,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PDTA123TK,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PDTA123TK,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	PDTA123TK,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
résistance - base (r1):	2.2 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 20mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	150mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	1µA
fréquence - transition:	-
puissance - maximum:	250 mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:	SMT3; MPAK