MJE182G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJE182G

MJE182G

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Numéro d'article	MJE182G
LIXINC Part #	MJE182G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS NPN 80V 3A TO225AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MJE182G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

MJE182G Caractéristiques

Numéro d'article:	MJE182G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
courant - collecteur (ic) (max):	3 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	80 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	1.7V @ 600mA, 3A
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	50 @ 100mA, 1V
puissance - maximum:	1.5 W
fréquence - transition:	50MHz
température de fonctionnement:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-225AA, TO-126-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-225AA