SI4214DDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI4214DDY-T1-E3 | SI4214DDY-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI4214DDY-T1-E3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SI4214DDY-T1-E3
LIXINC Part #	SI4214DDY-T1-E3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SI4214DDY-T1-E3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SI4214DDY-T1-E3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SI4214DDY-T1-E3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8.5A
rds sur (max) @ id, vgs:	19.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	22nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	660pF @ 15V
puissance - maximum:	3.1W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO