NVMFD5853NWFT1G

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Numéro d'article NVMFD5853NWFT1G
LIXINC Part # NVMFD5853NWFT1G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description N-CHANNEL, MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NVMFD5853NWFT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NVMFD5853NWFT1G Caractéristiques

Numéro d'article:NVMFD5853NWFT1G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):40V
courant - drain continu (id) @ 25°c:12A
rds sur (max) @ id, vgs:10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:24nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1225pF @ 25V
puissance - maximum:3.1W
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-PowerTDFN
paquet de dispositif de fournisseur:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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