DMN2014LHAB-7

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Numéro d'article DMN2014LHAB-7
LIXINC Part # DMN2014LHAB-7
Fabricant Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO DMN2014LHAB-7 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DMN2014LHAB-7 Caractéristiques

Numéro d'article:DMN2014LHAB-7
Marque:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:9A
rds sur (max) @ id, vgs:13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:16nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1550pF @ 10V
puissance - maximum:800mW
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-UFDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:U-DFN2030-6 (Type B)

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