IPG20N04S4L08AATMA1

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Numéro d'article IPG20N04S4L08AATMA1
LIXINC Part # IPG20N04S4L08AATMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPG20N04S4L08AATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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IPG20N04S4L08AATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPG20N04S4L08AATMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):40V
courant - drain continu (id) @ 25°c:20A
rds sur (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 22µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:39nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3050pF @ 25V
puissance - maximum:54W
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount, Wettable Flank
paquet / caisse:8-PowerVDFN
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TDSON-8-10

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