IRF7902PBF

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Numéro d'article IRF7902PBF
LIXINC Part # IRF7902PBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF7902PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 24 - Sep 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF7902PBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRF7902PBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:6.4A, 9.7A
rds sur (max) @ id, vgs:22.6mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.25V @ 25µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:6.9nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:580pF @ 15V
puissance - maximum:1.4W, 2W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SO

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