SP8K1FU6TB | ROHM Semiconductor SP8K1FU6TB | SP8K1FU6TB Inventory, Best Pricing

SP8K1FU6TB

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SP8K1FU6TB
LIXINC Part #	SP8K1FU6TB
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SP8K1FU6TB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SP8K1FU6TB Caractéristiques

Numéro d'article:	SP8K1FU6TB
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5A
rds sur (max) @ id, vgs:	51mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	5.5nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	230pF @ 10V
puissance - maximum:	2W
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOP