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IRF5810

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Numéro d'article	IRF5810
LIXINC Part #	IRF5810
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF5810 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF5810 Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF5810
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 P-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.9A
rds sur (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	650pF @ 16V
puissance - maximum:	960mW
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquet de dispositif de fournisseur:	6-TSOP