ZXMN2A04DN8TC | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

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Numéro d'article	ZXMN2A04DN8TC
LIXINC Part #	ZXMN2A04DN8TC
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ZXMN2A04DN8TC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

ZXMN2A04DN8TC Caractéristiques

Numéro d'article:	ZXMN2A04DN8TC
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.9A
rds sur (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA (Min)
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	22.1nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1880pF @ 10V
puissance - maximum:	1.8W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO