SIS108DN-T1-GE3

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Numéro d'article SIS108DN-T1-GE3
LIXINC Part # SIS108DN-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIS108DN-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SIS108DN-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SIS108DN-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET® Gen IV
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:6.7A (Ta), 16A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):7.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:34mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:545 pF @ 40 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.2W (Ta), 24W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® 1212-8
paquet / caisse:PowerPAK® 1212-8

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