NTLJS3A18PZTWG

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Numéro d'article NTLJS3A18PZTWG
LIXINC Part # NTLJS3A18PZTWG
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTLJS3A18PZTWG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NTLJS3A18PZTWG Caractéristiques

Numéro d'article:NTLJS3A18PZTWG
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:18mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 4.5 V
vg (max):±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2.24 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):700mW (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:6-WDFN (2x2)
paquet / caisse:6-WDFN Exposed Pad

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