FDU8580

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Numéro d'article FDU8580
LIXINC Part # FDU8580
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDU8580 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FDU8580 Caractéristiques

Numéro d'article:FDU8580
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:PowerTrench®
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:35A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.445 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):49.5W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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