IRF610STRRPBF | Vishay / Siliconix IRF610STRRPBF | IRF610STRRPBF Inventory, Best Pricing

IRF610STRRPBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRF610STRRPBF
LIXINC Part #	IRF610STRRPBF
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF610STRRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF610STRRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF610STRRPBF
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	8.2 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3W (Ta), 36W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D2PAK
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB