TN0110N3-G-P002 | Roving Networks / Microchip Technology TN0110N3-G-P002

TN0110N3-G-P002

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Numéro d'article	TN0110N3-G-P002
LIXINC Part #	TN0110N3-G-P002
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TN0110N3-G-P002 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TN0110N3-G-P002 Caractéristiques

Numéro d'article:	TN0110N3-G-P002
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	350mA (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 500µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	60 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92-3
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)