IRFL4105PBF

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Numéro d'article IRFL4105PBF
LIXINC Part # IRFL4105PBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRFL4105PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRFL4105PBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRFL4105PBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:45mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:660 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA

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