NVMFS6H800NLT1G

NVMFS6H800NLT1G
Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article NVMFS6H800NLT1G
LIXINC Part # NVMFS6H800NLT1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NVMFS6H800NLT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS6H800NLT1G Caractéristiques

Numéro d'article:NVMFS6H800NLT1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Ta), 224A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 330µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:112 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6900 pF @ 40 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.9W (Ta), 214W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / caisse:8-PowerTDFN, 5 Leads

Les produits qui pourraient vous intéresser

SIR622DP-T1-RE3 SIR622DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK 6022

Plus sur la commande

IRFL4105PBF IRFL4105PBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 928

Plus sur la commande

SIHA22N60E-E3 SIHA22N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 1754

Plus sur la commande

PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30ULDX MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 882

Plus sur la commande

FDD120AN15A0-F085 FDD120AN15A0-F085 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 11938301

Plus sur la commande

STH2N120K5-2AG STH2N120K5-2AG MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2 953

Plus sur la commande

IXTY2N100P IXTY2N100P MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 2131

Plus sur la commande

STU16N60M2 STU16N60M2 MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 889

Plus sur la commande

IPA90R500C3XKSA2 IPA90R500C3XKSA2 MOSFET N-CH 900V 11A TO220 876

Plus sur la commande

IXFL210N30P3 IXFL210N30P3 MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264 1412

Plus sur la commande

PMN20EN,115 PMN20EN,115 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 20967

Plus sur la commande

IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK 7387

Plus sur la commande

TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23 47924

Plus sur la commande

Demande rapide

En stock 10945 - Plus sur la commande
Limite de devis Sans limites
Délai de mise en œuvre Être confirmé
Le minimum 1

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Tarification (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.70647$1.70647

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

Contactez-nous

APPELEZ-NOUS
SKYPE
LIXINC

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

Nos certificats

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top