IPA65R1K0CEXKSA1

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Numéro d'article IPA65R1K0CEXKSA1
LIXINC Part # IPA65R1K0CEXKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPA65R1K0CEXKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IPA65R1K0CEXKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPA65R1K0CEXKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:CoolMOS™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:7.2A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 200µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:15.3 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:328 pF @ 100 V
fonction fet:Super Junction
puissance dissipée (max):68W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO220 Full Pack
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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