TK12A60D(STA4,Q,M)

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Numéro d'article TK12A60D(STA4,Q,M)
LIXINC Part # TK12A60D(STA4,Q,M)
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK12A60D(STA4,Q,M) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TK12A60D(STA4,Q,M) Caractéristiques

Numéro d'article:TK12A60D(STA4,Q,M)
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:π-MOSVII
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:12A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:38 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):45W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220SIS
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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