FDV303N

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Numéro d'article FDV303N
LIXINC Part # FDV303N
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDV303N Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDV303N Caractéristiques

Numéro d'article:FDV303N
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:680mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.7V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:2.3 nC @ 4.5 V
vg (max):±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:50 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):350mW (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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