2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK3566(STA4,Q,M) | 2SK3566(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

2SK3566(STA4,Q,M)

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Numéro d'article	2SK3566(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	2SK3566(STA4,Q,M)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SK3566(STA4,Q,M) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SK3566(STA4,Q,M) Caractéristiques

Numéro d'article:	2SK3566(STA4,Q,M)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	π-MOSIV
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	900 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	6.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	470 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	40W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220SIS
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack

DMN3730UFB4-7B	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN	70905 Plus sur la commande
IPB067N08N3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK	4586 Plus sur la commande
BUK7Y25-40B/C3115	N-CHANNEL POWER MOSFET	11380 Plus sur la commande
IRFR9010TRPBF	MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK	2648 Plus sur la commande
IXTQ30N50L2	MOSFET N-CH 500V 30A TO3P	1780 Plus sur la commande
HUF76407D3ST	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P	25194 Plus sur la commande
APT17F100S	MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK	984 Plus sur la commande
PH6530AL115	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	5377 Plus sur la commande
IXTP44N10T	MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB	907 Plus sur la commande
SISS26DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S	25026 Plus sur la commande
IRFB3206GPBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB	1225 Plus sur la commande
PMV37EN,215	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	735856 Plus sur la commande
DMG3415UFY4Q-7	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015	5758 Plus sur la commande