NDD60N900U1T4G | Rochester Electronics NDD60N900U1T4G | NDD60N900U1T4G Inventory, Best Pricing

NDD60N900U1T4G

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Numéro d'article	NDD60N900U1T4G
LIXINC Part #	NDD60N900U1T4G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NDD60N900U1T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NDD60N900U1T4G Caractéristiques

Numéro d'article:	NDD60N900U1T4G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.7A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	360 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	74W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63