IPW60R024P7XKSA1

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Numéro d'article IPW60R024P7XKSA1
LIXINC Part # IPW60R024P7XKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPW60R024P7XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IPW60R024P7XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPW60R024P7XKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:CoolMOS™ P7
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:101A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:24mOhm @ 42.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 2.03mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:164 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:7144 pF @ 400 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):291W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO247-3-41
paquet / caisse:TO-247-3

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