IPN80R900P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN80R900P7ATMA1 | IPN80R900P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN80R900P7ATMA1

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Numéro d'article	IPN80R900P7ATMA1
LIXINC Part #	IPN80R900P7ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPN80R900P7ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPN80R900P7ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPN80R900P7ATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	CoolMOS™ P7
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	800 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 110µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 500 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	7W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT223
paquet / caisse:	TO-261-3

BUZ73AE3046	N-CHANNEL POWER MOSFET	971 Plus sur la commande
SQ4850EY-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO	3390 Plus sur la commande
APT10M19BVRG	MOSFET N-CH 100V 75A TO247	931 Plus sur la commande
IPA60R199CPXKSA1	MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP	907 Plus sur la commande
BUK7212-55B,118	MOSFET N-CH 55V 75A DPAK	898 Plus sur la commande
EPC2039	GANFET N-CH 80V 6.8A DIE	89930 Plus sur la commande
AON6510	MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN	1378 Plus sur la commande
IRF840LCSTRRPBF	MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB	977 Plus sur la commande
2SK209-Y(TE85L,F)	MOSFET N-CH 10V 14MA SC59	12308 Plus sur la commande
PSMN130-200D,118-NEX	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	967 Plus sur la commande
PMZB670UPE,315	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	30388 Plus sur la commande
STW21NM60ND	MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3	1104 Plus sur la commande
SQ1470AEH-T1_GE3	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70	6385 Plus sur la commande