SSM3J15CT(TPL3)

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Numéro d'article SSM3J15CT(TPL3)
LIXINC Part # SSM3J15CT(TPL3)
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SSM3J15CT(TPL3) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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SSM3J15CT(TPL3) Caractéristiques

Numéro d'article:SSM3J15CT(TPL3)
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:π-MOSVI
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:100mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4V
rds sur (max) @ id, vgs:12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:9.1 pF @ 3 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):100mW (Ta)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:CST3
paquet / caisse:SC-101, SOT-883

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