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Numéro d'article | TPWR6003PL,L1Q |
LIXINC Part # | TPWR6003PL,L1Q |
Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | TPWR6003PL,L1Q Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | TPWR6003PL,L1Q |
Marque: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
série: | U-MOSIX-H |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 150A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 600µOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.1V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 10000 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
température de fonctionnement: | 175°C |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-DSOP Advance |
paquet / caisse: | 8-PowerWDFN |
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SI5442DU-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK | 14538 Plus sur la commande |
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NTD3808NT4G | MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK | 60846 Plus sur la commande |
En stock | 17030 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.92000 | $2.92 |
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