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Numéro d'article | SSM6J401TU,LF |
LIXINC Part # | SSM6J401TU,LF |
Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SSM6J401TU,LF Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SSM6J401TU,LF |
Marque: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
série: | - |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 2.5A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 73mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.6V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 16 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 730 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 500mW (Ta) |
température de fonctionnement: | 150°C |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | UF6 |
paquet / caisse: | 6-SMD, Flat Leads |
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PMPB20EN,115 | MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6 | 8887 Plus sur la commande |
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SSM3K341R,LXHF | AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F | 3019 Plus sur la commande |
En stock | 16863 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.49000 | $0.49 |
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