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Numéro d'article | SQM40P10-40L_GE3 |
LIXINC Part # | SQM40P10-40L_GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 100V 40A TO263 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SQM40P10-40L_GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SQM40P10-40L_GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 40A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 40mOhm @ 17A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 134 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 5295 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 150W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-263 (D²Pak) |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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STP6N95K5 | MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3 | 1539 Plus sur la commande |
En stock | 13914 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.26000 | $2.26 |
800 | $1.25404 | $1003.232 |
1600 | $1.15086 | $1841.376 |
2400 | $1.07149 | $2571.576 |
5600 | $1.03180 | $5778.08 |
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