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EPC2021

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Numéro d'article	EPC2021
LIXINC Part #	EPC2021
Fabricant	EPC
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	GANFET N-CH 80V 90A DIE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	EPC2021 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

EPC2021 Caractéristiques

Numéro d'article:	EPC2021
Marque:	EPC
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	EPC
série:	eGaN®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	90A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 29A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 14mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 5 V
vg (max):	+6V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1650 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	-
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	Die
paquet / caisse:	Die