NTD4979N-35G | Rochester Electronics NTD4979N-35G | NTD4979N-35G Inventory, Best Pricing

NTD4979N-35G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	NTD4979N-35G
LIXINC Part #	NTD4979N-35G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A I-PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTD4979N-35G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTD4979N-35G Caractéristiques

Numéro d'article:	NTD4979N-35G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9.4A (Ta), 41A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	837 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I-PAK
paquet / caisse:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA