ZVN2110GTA

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Numéro d'article ZVN2110GTA
LIXINC Part # ZVN2110GTA
Fabricant Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO ZVN2110GTA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ZVN2110GTA Caractéristiques

Numéro d'article:ZVN2110GTA
Marque:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:500mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:75 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA

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