UPA1809GR-9JG-E2-A | Rochester Electronics UPA1809GR-9JG-E2-A | UPA1809GR-9JG-E2-A Inventory, Best Pricing

UPA1809GR-9JG-E2-A

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	UPA1809GR-9JG-E2-A
LIXINC Part #	UPA1809GR-9JG-E2-A
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 8A 8TSSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	UPA1809GR-9JG-E2-A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

UPA1809GR-9JG-E2-A Caractéristiques

Numéro d'article:	UPA1809GR-9JG-E2-A
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vg (max):	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	520 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-TSSOP
paquet / caisse:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)