SIR800ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix SIR800ADP-T1-RE3 | SIR800ADP-T1-RE3 Inventory, Best Pricing

SIR800ADP-T1-RE3

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Numéro d'article	SIR800ADP-T1-RE3
LIXINC Part #	SIR800ADP-T1-RE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SIR800ADP-T1-RE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SIR800ADP-T1-RE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SIR800ADP-T1-RE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET® Gen IV
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50.2A (Ta), 177A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.35mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vg (max):	+12V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3415 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	5W (Ta), 62.5W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerPAK® SO-8
paquet / caisse:	PowerPAK® SO-8

IPA50R199CPXKSA1	MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP	947 Plus sur la commande
IRL3803VPBF	IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW	922 Plus sur la commande
DMG4800LK3-13	MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3	48538452 Plus sur la commande
RSQ015N06HZGTR	MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6	815 Plus sur la commande
SI1480DH-T1-BE3	MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70	3763 Plus sur la commande
AOB280A60L	MOSFET N-CH 600V 14A TO263	1662 Plus sur la commande
IPP60R600E6	N-CHANNEL POWER MOSFET	957 Plus sur la commande
IPI80N04S403AKSA1	MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3	1168 Plus sur la commande
FQP9N90C	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8	3429 Plus sur la commande
SUM70040M-GE3	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7	1413 Plus sur la commande
GKI07301	MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN	1212 Plus sur la commande
DMN62D0UWQ-13	MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323	868 Plus sur la commande
NP82N04NDG-S18-AY	MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK	2593 Plus sur la commande