PMZB550UNEYL

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Numéro d'article PMZB550UNEYL
LIXINC Part # PMZB550UNEYL
Fabricant Nexperia
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO PMZB550UNEYL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 04 - Jul 08 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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PMZB550UNEYL Caractéristiques

Numéro d'article:PMZB550UNEYL
Marque:Nexperia
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Nexperia
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:590mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:670mOhm @ 590mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:950mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.1 nC @ 4.5 V
vg (max):±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:30.3 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):310mW (Ta), 1.67W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DFN1006B-3
paquet / caisse:3-XFDFN

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