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2SK209-GR(TE85L,F)

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Numéro d'article	2SK209-GR(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK209-GR(TE85L,F)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	TRANS SJT N-CH 10MA SC59
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SK209-GR(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

2SK209-GR(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:	2SK209-GR(TE85L,F)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	-
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	13 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	150mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SC-59
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3