BSP316PH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP316PH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP316PH6327XTSA1

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Numéro d'article	BSP316PH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP316PH6327XTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSP316PH6327XTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSP316PH6327XTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSP316PH6327XTSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	SIPMOS®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	680mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.8Ohm @ 680mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 170µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6.4 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	146 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.8W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT223-4
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA

BSC070N10NS3GATMA1	MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8	101143 Plus sur la commande
PSMN2R2-25YLC,115	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56	3168 Plus sur la commande
IRL7833STRLPBF	MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK	1566 Plus sur la commande
IPP60R080P7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3	863 Plus sur la commande
PMPB50ENEX	MOSFET DFN2020MD-6	3897 Plus sur la commande
PMPB100ENEA115	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	30858 Plus sur la commande
SI7434ADP-T1-RE3	MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK	3629 Plus sur la commande
IRF9520STRRPBF	MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK	925 Plus sur la commande
PSMN057-200B,118	MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK	4411 Plus sur la commande
DMN3016LFDE-7	MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN	3939 Plus sur la commande
IPP80N04S304AKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	27925 Plus sur la commande
C3M0280090J	SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7	852 Plus sur la commande
IRF7450PBF	SMPS HEXFET POWER MOSFET	904 Plus sur la commande