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Numéro d'article | FQB9N25TM |
LIXINC Part # | FQB9N25TM |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FQB9N25TM Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FQB9N25TM |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | QFET® |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 250 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 9.4A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 420mOhm @ 4.7A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vg (max): | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 700 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 3.13W (Ta), 90W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRLR7843TRPBF | IRLR7843 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 3819 Plus sur la commande |
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SIHA6N65E-E3 | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 | 1010 Plus sur la commande |
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APT43M60B2 | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | 878 Plus sur la commande |
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TK5Q65W,S1Q | MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK | 880 Plus sur la commande |
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IRL2203NPBF-INF | HEXFET POWER MOSFET | 871 Plus sur la commande |
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NVMFS5C430NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN | 10821 Plus sur la commande |
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SI7806ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 | 873 Plus sur la commande |
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IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO247 | 3006 Plus sur la commande |
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SI4776DY-T1-GE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO | 2565 Plus sur la commande |
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AOSS32136C | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 | 15307 Plus sur la commande |
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3LN01S-K-TL-E | MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP | 126858 Plus sur la commande |
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ZXM61N02FTC | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | 10950 Plus sur la commande |
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FQI27N25TU | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 23959 Plus sur la commande |
En stock | 10804 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
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