RM115N65T2

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Numéro d'article RM115N65T2
LIXINC Part # RM115N65T2
Fabricant Rectron USA
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 65V 115A TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RM115N65T2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RM115N65T2 Caractéristiques

Numéro d'article:RM115N65T2
Marque:Rectron USA
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rectron USA
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):65 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:115A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):+20V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5900 pF @ 30 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):160W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
paquet / caisse:TO-220-3

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