STW65N65DM2AG | STMicroelectronics STW65N65DM2AG | STW65N65DM2AG Inventory, Best Pricing

STW65N65DM2AG

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	STW65N65DM2AG
LIXINC Part #	STW65N65DM2AG
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STW65N65DM2AG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STW65N65DM2AG Caractéristiques

Numéro d'article:	STW65N65DM2AG
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	120 nC @ 10 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5500 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	446W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247
paquet / caisse:	TO-247-3