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Numéro d'article | SIE810DF-T1-E3 |
LIXINC Part # | SIE810DF-T1-E3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIE810DF-T1-E3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SIE810DF-T1-E3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 20 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 60A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 2.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 1.4mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 300 nC @ 10 V |
vg (max): | ±12V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 13000 pF @ 10 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 10-PolarPAK® (L) |
paquet / caisse: | 10-PolarPAK® (L) |
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En stock | 13956 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.61000 | $3.61 |
3000 | $2.01052 | $6031.56 |
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