G3R160MT12D

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Numéro d'article G3R160MT12D
LIXINC Part # G3R160MT12D
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO G3R160MT12D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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G3R160MT12D Caractéristiques

Numéro d'article:G3R160MT12D
Marque:GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:GeneSiC Semiconductor
série:G3R™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:22A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):15V
rds sur (max) @ id, vgs:192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (max) @ id:2.69V @ 5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 15 V
vg (max):±15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:730 pF @ 800 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):123W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
paquet / caisse:TO-247-3

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