IRF6644TRPBF

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Numéro d'article IRF6644TRPBF
LIXINC Part # IRF6644TRPBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF6644TRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRF6644TRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRF6644TRPBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:10.3A (Ta), 60A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:13mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.8V @ 150µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:47 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2210 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DIRECTFET™ MN
paquet / caisse:DirectFET™ Isometric MN

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