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Numéro d'article | TSM7ND65CI |
LIXINC Part # | TSM7ND65CI |
Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 650V 7A ITO220 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | TSM7ND65CI Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | TSM7ND65CI |
Marque: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
série: | - |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 650 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 7A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 1.35Ohm @ 1.8A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.8V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vg (max): | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1124 pF @ 50 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 50W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | ITO-220 |
paquet / caisse: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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En stock | 14740 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.55000 | $1.55 |
50 | $1.23814 | $61.907 |
100 | $1.08335 | $108.335 |
500 | $0.84012 | $420.06 |
1000 | $0.66325 | $663.25 |
2500 | $0.61903 | $1547.575 |
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