TSM7ND65CI

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Numéro d'article TSM7ND65CI
LIXINC Part # TSM7ND65CI
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TSM7ND65CI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TSM7ND65CI Caractéristiques

Numéro d'article:TSM7ND65CI
Marque:TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:TSC (Taiwan Semiconductor)
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:7A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.35Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.8V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1124 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):50W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:ITO-220
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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