SQ4184EY-T1_GE3

SQ4184EY-T1_GE3
Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article SQ4184EY-T1_GE3
LIXINC Part # SQ4184EY-T1_GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SQ4184EY-T1_GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SQ4184EY-T1_GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SQ4184EY-T1_GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:29A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5400 pF @ 20 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):7.1W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Les produits qui pourraient vous intéresser

IRLR014PBF IRLR014PBF MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 831

Plus sur la commande

APT24M120L APT24M120L MOSFET N-CH 1200V 24A TO264 811

Plus sur la commande

MTB16N25ET4 MTB16N25ET4 N-CHANNEL POWER MOSFET 185620

Plus sur la commande

IXFK44N80P IXFK44N80P MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA 1564

Plus sur la commande

IXFX200N10P IXFX200N10P MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3 816

Plus sur la commande

SI3407DV-T1-BE3 SI3407DV-T1-BE3 MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP 3927

Plus sur la commande

IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 3788

Plus sur la commande

BUK7E2R7-30B,127 BUK7E2R7-30B,127 PFET, 75A I(D), 30V, 0.0027OHM, 1781

Plus sur la commande

IPD50R500CEBTMA1 IPD50R500CEBTMA1 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET 16782

Plus sur la commande

AOWF11N60 AOWF11N60 MOSFET N-CH 600V 11A TO262F 816

Plus sur la commande

XP152A12C0MR-G XP152A12C0MR-G MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23 804

Plus sur la commande

BUK7Y2R5-40HX BUK7Y2R5-40HX MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 1005

Plus sur la commande

IXFK32N100P IXFK32N100P MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA 866

Plus sur la commande

Demande rapide

En stock 12463 - Plus sur la commande
Limite de devis Sans limites
Délai de mise en œuvre Être confirmé
Le minimum 1

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Tarification (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.57000$1.57

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

Contactez-nous

APPELEZ-NOUS
SKYPE
LIXINC

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

Nos certificats

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top